集成電路布圖設計獨創性認定中公認的常規設計的判斷
近期，最高人民法院知識產權法庭審結一起集成電路布圖設計撤銷行政糾紛上訴案件，在明確涉案布圖設計獨創性認定基礎上，進一步闡述了布圖設計中公認的常規設計的判斷方法。
本案涉及權利人為賽某公司、登記號為BS.1250XXXX.2、名稱為“集成控制器與開關管的單芯片負極保護的鋰電池保護芯片”的集成電路布圖設計（以下簡稱本布圖設計）。
晶某公司針對本布圖設計向國家知識產權局提交集成電路布圖設計專有權撤銷意見書，以本布圖設計不符合《集成電路布圖設計保護條例》（以下簡稱布圖設計條例）第四條的規定為由，請求撤銷本布圖設計專有權。國家知識產權局作出第7號集成電路布圖設計撤銷程序審查決定（以下簡稱被訴決定），維持本布圖設計專有權有效。晶某公司不服，向北京知識產權法院（以下簡稱一審法院）提起訴訟，理由為：本布圖設計獨創點1-4整體屬于現有布圖設計，本布圖設計不具有獨創性。證據6與本布圖設計獨創點1-4整體相比較，區別僅在于功率PMOS管同功率NMOS管的替換。而NMOS管與PMOS管的制備工藝過程實質是相同的，其布圖設計實質是相同的。兩者在細節上的區別不是本布圖設計的獨創點，將PMOS管替換為NMOS管是本領域的常規技術手段。綜上，本布圖設計不符合布圖設計條例第四條的規定，請求撤銷被訴決定，并判令國家知識產權局重新作出決定。
一審法院認為，在判斷獨創性時，應將獨創點1-4在本布圖設計中所對應的部分作為一個整體考慮。對于PMOS管和NMOS管而言，即使二者在結構上相互對稱、功能上可以互換，但在集成電路布圖設計的三維配置和布圖層次中，不宜認定二者可隨意簡單替換。綜上，在案證據不足以證明獨創點1-4整體所對應的布圖設計屬于公認的常規設計。因此本布圖設計具備獨創性。一審法院據此駁回晶某公司的訴訟請求。
晶某公司不服一審判決，向最高人民法院提起上訴。
最高人民法院二審認為，權利人的獨創性說明對于判斷布圖設計的獨創性具有參考作用，其可能從不同角度對獨創性部分予以描述或者概括，但不一定包含對三維配置內容的描述，在對權利人指明的部分進行獨創性判斷時，應結合權利人的獨創性說明，將權利人指明部分中含有的元件和線路的具體三維配置作為判斷對象。集成電路布圖設計從抽象概念到物理實現可分為不同的層級，通常包括邏輯設計、電路設計和布圖設計。每個層級的設計理念、設計原理、設計方式等均有所差異，故每個層級的常規設計亦有多種可能的選擇。集成電路布圖設計中公認的常規設計，是指布圖設計創作者和集成電路制造者可以從布圖設計領域的教科書、技術詞典、技術手冊、通用標準、通用模塊等資料中獲取的設計，以及根據基本的設計原理容易想到的設計。故判斷一項布圖設計是否屬于集成電路布圖設計中公認的常規設計，其依據的技術資料、應用對象都應當限定為更為具體的布圖設計層面，而通常不是泛指更為抽象的邏輯設計或者電路設計層面。在布圖設計中，NMOS管和PMOS管基于有源區、源極接觸、漏極接觸不同的摻雜類型實現不同導電類型的溝道，并非單純的對稱關系或復制關系，其實現過程需制作不同摻雜區域，并導致工藝和布圖的差別，在面積和阻抗方面的差異較為明顯。即便在電路原理圖中NMOS管和PMOS管的替換容易想到，設計者在進行布圖設計時依然不僅需要考慮整體電路的適配和連接關系的調整，還需考慮元器件的選用，例如不僅不同類型的晶體管，即使是同一類型的晶體管也具有多種不同的布圖表達形式。本案中，證據6與本布圖設計不僅在MOS管選擇上存在差異，其對應布圖層數、與其他元件的連接關系均不同，本布圖設計的NMOS管相較于證據6的PMOS管多出了深阱層，NMOS管和PMOS管的源極、漏極、柵極連接關系各不相同，上述差異化的晶體管布圖設計即是綜合各種因素的體現，晶某公司的現有證據不足以證明將證據6中的PMOS管替換為本布圖設計的NMOS管是集成電路布圖設計領域中公認的常規設計。綜上，被訴決定和一審判決的認定并無不當。
該案二審判決對集成電路布圖設計獨創性的認定以及公認的常規設計的判斷進行了闡釋，對于進一步厘清集成電路布圖設計撤銷行政糾紛的審理思路，特別是對于公認的常規設計的認定具有一定參考價值。
文章來源：最高人民法院知識產權法庭
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